LM211DG
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ON Semiconductor LM211DG

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型号

LM211DG

utmel 编号

1807-LM211DG

商品类别

线性 - 比较器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - LM211DG - Analogue Comparator, Single, High Speed, 1 Comparator, 200 ns, 5V to 30V, SOIC, 8 Pins

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LM211DG
LM211DG ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - LM211DG - Analogue Comparator, Single, High Speed, 1 Comparator, 200 ns, 5V to 30V, SOIC, 8 Pins

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LM211DG详情

ON Semiconductor LM211DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -40°C~85°C

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    通用型

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    625mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    LM211

  • 引脚数量

    8

  • 输出类型

    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

  • 电路数量

    1

  • 电源电流

    6mA

  • 功率耗散

    625mW

  • 最大电源电流

    2.4mA

  • 静态电流

    6mA

  • 回应时间

    200 ns

  • 电压 - 电源,单/双路(±)

    5V~30V ±2.5V~15V

  • 无卤素

    无卤素

  • 每个通道的输出电流

    2.4mA

  • 输入失调电压(Vos)

    3mV

  • 负电源电压(Vsup)

    -15V

  • 电压增益

    106.02dB

  • 最大输入电流

    100nA

  • 输入偏置电流

    100nA

  • 电压 - 输入断态 (最小值)

    3mV @ ±15V

  • 最大输入偏正电流

    0.1μA @ ±15V

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    3.9mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & LM211DG相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Number of Pins
    Input Offset Voltage (Vos)
    Supply Voltage
    Current - Input Bias (Max)
    Voltage - Input Offset (Max)
    Output Type
    Input Bias Current
    查看对比:
  • LM211DG

    LM211DG

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    3 mV

    15 V

    0.1μA @ ±15V

    3mV @ ±15V

    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

    100 nA

  • LM211DR2G

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    3 mV

    15 V

    0.1μA @ ±15V

    3mV @ ±15V

    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

    100 nA

  • LM211DT

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    3 mV

    15 V

    0.1μA @ ±15V

    3mV @ ±15V

    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

    100 nA

  • LM211D

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    3 mV

    15 V

    0.1μA @ ±15V

    3mV @ ±15V

    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

    100 nA

  • LM211DR

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    700 μV

    15 V

    0.1μA @ ±15V

    3mV @ ±15V

    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

    100 nA

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LM211DG拓展信息

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LMV331SN3T1G
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LM211DR2G
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