ON Semiconductor LM258DR2
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LM258DR2
1807-LM258DR2
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
--最小包装量--
LM258DR2详情
ON Semiconductor LM258DR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
Number of Elements
2
操作温度
-25°C~85°C
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2004
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
包装方式
TAPE AND REEL
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
2
电源电压
5V
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
LM258
引脚数量
8
资历状况
不合格
工作电源电压
16V
电源
+-1.5/+-15/3/30V
工作电源电流
1.5mA
电源电流
1.2mA
输出电流
40mA
压摆率
0.6V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
通用型
共模拒绝率
70 dB
输入偏正电流
45nA
电压 - 电源,单/双路(±)
3V~32V ±1.5V~16V
每个通道的输出电流
40mA
输入失调电压(Vos)
5mV
增益带宽积
1MHz
统一增益 BW-(标准值)
1000 kHz
电压增益
100dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.3μA
电源抑制比
65dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
2mV
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.15μA
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
LM258DR2拓展信息
ON Semiconductor
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