ON Semiconductor LM311DR2G
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LM311DR2G
1807-LM311DR2G
线性 - 比较器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
--最小包装量--
LM311DR2G详情
ON Semiconductor LM311DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
Number of Elements
1
操作温度
0°C~70°C
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
类型
通用型
最大功率耗散
625mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
LM311
引脚数量
8
输出类型
DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
电源电流
7.5mA
功率耗散
625mW
最大电源电流
2.4mA
静态电流
7.5mA
回应时间
200 ns
电压 - 电源,单/双路(±)
5V~30V ±2.5V~15V
无卤素
无卤素
每个通道的输出电流
7.5mA
输入失调电压(Vos)
7.5mV
负电源电压(Vsup)
-15V
电压增益
106.02dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.3μA
最大输入电流
250nA
输入偏置电流
250nA
电压 - 输入断态 (最小值)
7.5mV @ ±15V
最大输入偏正电流
0.25μA @ ±15V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LM311DR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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