ON Semiconductor MBR20200CTTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

低功率损耗

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

SINGLE

基本部件号

MBR20200CT

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

200μA @ 200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

800mV @ 10A

正向电流

20A

最大反向漏电电流

200μA

工作温度 - 结点

150°C Max

最大浪涌电流

150A

正向电压

1V

最大反向电压（DC）

200V

平均整流电流

10A

相位的数量

1

峰值反向电流

200μA

最大重复反向电压(Vrrm)

200V

JEDEC-95代码

TO-220AB

峰值非恢复性浪涌电流

150A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

150A

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅