ON Semiconductor MBR835

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-201AA, DO-27, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 267-05

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

MBR835

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Forward Voltage-Max (VF)

0.55 V

Risk Rank

5.73

Part Package Code

DO-201AD

系列

-

无铅代码

有

应用

EFFICIENCY

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS

技术

SCHOTTKY

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1 mA @ 35 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

550 mV @ 8 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 125°C

输出电流-最大值

8 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

35 V

平均整流电流（Io）

8A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

35 V

JEDEC-95代码

DO-201AD

电容@Vr, F

-

最大非代表Pk前进电流

140 A

反向电流-最大值

1000 µA