ON Semiconductor BAS16LT1G
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BAS16LT1G
1807-BAS16LT1G
二极管 - 整流器 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
--最小包装量--
BAS16LT1G详情
ON Semiconductor BAS16LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.70
电容量
2pF
电压 - 额定直流
75V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BAS16
引脚数量
3
元素配置
Single
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 100V
功率耗散
300mW
输出电流
200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 150mA
正向电流
200mA
最大反向漏电电流
1μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
500mA
无卤素
无卤素
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
100V
平均整流电流(Io)
200mA DC
正向电压
1.25V
最大反向电压(DC)
75V
平均整流电流
200mA
反向恢复时间
6 ns
峰值反向电流
1μA
最大重复反向电压(Vrrm)
75V
电容@Vr, F
2pF @ 0V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
500mA
最大正向浪涌电流(Ifsm)
500mA
恢复时间
6 ns
高度
1.016mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BAS16LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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