MC14012BDR2
MC14012BDR2

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ON Semiconductor MC14012BDR2

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型号

MC14012BDR2

utmel 编号

1807-MC14012BDR2

商品类别

逻辑 - 逻辑门和逆变器

封装

14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

4000/14000/40000 SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, PDSO14, SOIC-14

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MC14012BDR2
MC14012BDR2 ON Semiconductor 4000/14000/40000 SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, PDSO14, SOIC-14

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MC14012BDR2详情

ON Semiconductor MC14012BDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    14-SOIC

  • 终端数量

    14

  • Supplier Package

    SOIC

  • Minimum Operating Supply Voltage

    3 V

  • Maximum Propagation Delay Time @ Maximum CL

    300@5V/130@10V/100@15V ns

  • Maximum Operating Supply Voltage

    18 V

  • Mounting

    表面贴装

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    MC14012

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    PLASTIC, SOIC-14

  • Package Style

    小概要

  • Load Capacitance (CL)

    50 pF

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MC14012BDR2

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    SOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    5.73

  • 操作温度

    -55 to 125 °C

  • 系列

    4000B

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 技术

    CMOS

  • 电压 - 供电

    3V ~ 18V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    2

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    14

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G14

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    18 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 电路数量

    2

  • 家人

    4000/14000/40000

  • 逻辑功能

    NAND

  • 输入数量

    4

  • 高/低输出电流

    8.8mA, 8.8mA

  • 座位高度-最大

    1.75 mm

  • 逻辑类型

    NAND门

  • 逻辑IC类型

    NAND GATE

  • 最大传播延迟@V,最大CL

    100ns @ 15V, 50pF

  • 传播延迟(tpd)

    300 ns

  • 最大静态电流

    1 µA

  • 特征

    -

  • 宽度

    3.9 mm

  • 长度

    8.65 mm

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技术文档: ON Semiconductor MC14012BDR2.

MC14012BDR2拓展信息

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