ON Semiconductor MCH3375-TL-H
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MCH3375-TL-H
1807-MCH3375-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
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MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
--最小包装量--
MCH3375-TL-H详情
ON Semiconductor MCH3375-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
800mW Ta
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
DUAL
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
800mW
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
295m Ω @ 800mA, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
82pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.2nC @ 10V
上升时间
3.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.4 ns
连续放电电流(ID)
1.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.295Ohm
漏源击穿电压
-30V
高度
850μm
长度
2mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MCH3375-TL-H拓展信息
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