ON Semiconductor MCH3479-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

900mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

DUAL

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

64m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

260pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.064Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅