ON Semiconductor MCH6541-TL-E
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MCH6541-TL-E
1807-MCH6541-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-SMD, Flat Leads
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Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 0.7A 550MW 6-PIN Mcph T/r
--最小包装量--
MCH6541-TL-E详情
ON Semiconductor MCH6541-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-110mV
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
550mW
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率 - 最大
550mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
520MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
190mV
最大集电极电流
700mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 50mA 2V / 200 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA
转换频率
540MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
540MHZ 520MHz
集电极基极电压(VCBO)
-30V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH6541-TL-E拓展信息
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