ON Semiconductor MCT9001W

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

8

质量

882mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

50% @ 5mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

400mW

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

55V

输出类型

Transistor

功率耗散

400mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1V

输入类型

DC

正向电流

60mA

每个通道的输出电流

30mA

上升时间

2.4μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

30mA

上升/下降时间(Typ)

2.4μs 2.4μs

反向击穿电压

5V

最大输入电流

60mA

电流传输比（最大）

600% @ 5mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 3μs

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅