ON Semiconductor MGSF1N03LT3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

420mW Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

1.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

730mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 1.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 5V

上升时间

1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅