ON Semiconductor MLD1N06CLT4

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

4 ns

操作温度

-50°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SMARTDISCRETES™

已出版

2008

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

62V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MLD1N06C

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

输出的数量

1

资历状况

不合格

输出类型

N-Channel

界面

On/Off

元素配置

Single

输出配置

低侧

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

箱体转运

DRAIN

输入类型

Non-Inverting

开关类型

通用型

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

4ns

漏源电压 (Vdss)

62V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

1A

比率-输入：输出

1:1

栅极至源极电压(Vgs)

10V

电压-负荷

59V Max

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

59V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On(Typ)

590m Ω

漏源电阻

750mOhm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅