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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.444423
10
¥0.419267
100
¥0.395535
500
¥0.373146
1000
¥0.352025
ON Semiconductor MM3Z20VT1G
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- 对比
MM3Z20VT1G
1807-MM3Z20VT1G
二极管 - 齐纳 - 单
SC-76, SOD-323
大陆
立即发货

Diode, Zener, Vr 20V, If 10mA, Pkg SOD-323, Vf 0.9V, Cj 85pF, Tj 150C, Pd 200mW, Ir 5mA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MM3Z20VT1G详情
ON Semiconductor MM3Z20VT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-76, SOD-323
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
容差
±6%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
200mW
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MM3Z20
引脚数量
2
工作电压
20V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
55Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
50nA @ 14V
功率耗散
200mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
功率 - 最大
300mW
最大反向漏电电流
50nA
阻抗-最大
55Ohm
测试电流
5mA
参考电压
20V
正向电压
900mV
齐纳电压
20V
最大电压允差
6%
峰值反向电流
50nA
电压允差
6%
ESD保护
有
齐纳电流
10mA
反向测试电压
14V
电压温度系数
18mV/°C
高度
1mm
长度
1.8mm
宽度
1.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MM3Z20VT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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