ON Semiconductor MMBD7000LT1G
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MMBD7000LT1G
1807-MMBD7000LT1G
二极管 - 整流器 - 阵列
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
--最小包装量--
MMBD7000LT1G详情
ON Semiconductor MMBD7000LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.70
电容量
1.5pF
电压 - 额定直流
100V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBD7000
引脚数量
3
元素配置
共阴极
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
3μA @ 100V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1V @ 100mA
正向电流
200mA
最大反向漏电电流
3μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
500mA
输出电流-最大值
0.2A
无卤素
无卤素
平均整流电流(Io)
200mA DC
正向电压
1.1V
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
200mA
反向恢复时间
4 ns
峰值反向电流
3μA
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
峰值非恢复性浪涌电流
500mA
二极管配置
1 Pair Series Connection
最大正向浪涌电流(Ifsm)
500mA
恢复时间
4 ns
高度
940μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBD7000LT1G拓展信息
ON Semiconductor
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