ON Semiconductor MMBT2222ATT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SC-75, SOT-416

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

hFEMin

35

Voltage Rating (DC)

75 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

MMBT2222

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 463-01, SC-75, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 463-01

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

MMBT2222ATT1

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Turn-off Time-Max (toff)

285 ns

Risk Rank

5.22

Part Package Code

SC-75

包装

卷带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

150 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

600 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率 - 最大

150 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

75 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

40 V

无铅

含铅