ON Semiconductor MMBV105GLT1G
- 收藏
- 对比
MMBV105GLT1G
1807-MMBV105GLT1G
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

VARACTOR DIODE,SINGLE,SOT-23 45J1539
--最小包装量--
MMBV105GLT1G详情
ON Semiconductor MMBV105GLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 7 hours ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
1.5pF
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBV105
引脚数量
3
二极管类型
Single
功率耗散
225mW
正向电流
200mA
无卤素
无卤素
最大重复反向电压(Vrrm)
30V
电容@Vr, F
2.8pF @ 25V 1MHz
反向电压(直流电)
30V
频带
超高频
二极管电容-标称
2.15pF
最小击穿电压
30V
电容比
6.5
电容比环境
C3/C25
最小品质因数
250
Q@Vr,F
250 @ 3V, 50MHz
高度
1.1176mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBV105GLT1G拓展信息
onsemi
ON Semiconductor
ON Semiconductor
onsemi
onsemi
onsemi
ON Semiconductor
onsemi
ON Semiconductor
onsemi








哦! 它是空的。