MMBV105GLT1G
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ON Semiconductor MMBV105GLT1G

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型号

MMBV105GLT1G

utmel 编号

1807-MMBV105GLT1G

商品类别

二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

VARACTOR DIODE,SINGLE,SOT-23 45J1539

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MMBV105GLT1G
MMBV105GLT1G ON Semiconductor VARACTOR DIODE,SINGLE,SOT-23 45J1539

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MMBV105GLT1G详情

ON Semiconductor MMBV105GLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 7 hours ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 电容量

    1.5pF

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    200mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBV105

  • 引脚数量

    3

  • 二极管类型

    Single

  • 功率耗散

    225mW

  • 正向电流

    200mA

  • 无卤素

    无卤素

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    30V

  • 电容@Vr, F

    2.8pF @ 25V 1MHz

  • 反向电压(直流电)

    30V

  • 频带

    超高频

  • 二极管电容-标称

    2.15pF

  • 最小击穿电压

    30V

  • 电容比

    6.5

  • 电容比环境

    C3/C25

  • 最小品质因数

    250

  • Q@Vr,F

    250 @ 3V, 50MHz

  • 高度

    1.1176mm

  • 长度

    3.0226mm

  • 宽度

    1.397mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor MMBV105GLT1G.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & MMBV105GLT1G相似的参数规格。

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MMBV105GLT1G拓展信息

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