ON Semiconductor MMBV2109LT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

30V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

0.225W

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH Q, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

29.7pF

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBV2109

引脚数量

3

资历状况

不合格

二极管类型

Single

正向电流

200mA

最大重复反向电压(Vrrm)

30V

电容@Vr, F

36.3pF @ 4V 1MHz

反向电压

30V

频带

高频转超高频

二极管电容-标称

33pF

电容比

3.2

电容比环境

C2/C30

二极管容差

10%

最小品质因数

200

Q@Vr，F

200 @ 4V, 50MHz

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅