ON Semiconductor MMBZ5236ELT1G
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MMBZ5236ELT1G
1807-MMBZ5236ELT1G
二极管 - 齐纳 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT23-3
1最小包装量--
MMBZ5236ELT1G详情
ON Semiconductor MMBZ5236ELT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
225mW
电压 - 额定直流
7.5V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
阻抗
6Ohm
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
3μA @ 6V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
阻抗-最大
6Ohm
参考电压
7.5V
齐纳电压
7.5V
最大电压允差
5.07%
工作测试电流
20mA
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBZ5236ELT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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