MMDF1300R2
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ON Semiconductor MMDF1300R2

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型号

MMDF1300R2

utmel 编号

1807-MMDF1300R2

商品类别

静电控制,防静电,ESD,无尘室产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3A, 25V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8

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MMDF1300R2
MMDF1300R2 ON Semiconductor 3A, 25V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8

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MMDF1300R2详情

ON Semiconductor MMDF1300R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SO-8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    MMDF1300R2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.38

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    3 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.1 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    9 A

  • DS 击穿电压-最小值

    25 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    113 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor MMDF1300R2.

MMDF1300R2拓展信息

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