ON Semiconductor MMDF3N03HD

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

2.8 A

Ihs Manufacturer

MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Manufacturer

飞思卡尔半导体

Manufacturer Part Number

MMDF3N03HD

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.91

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.09 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

324 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W