ON Semiconductor MMDFS6N303R2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FETKY™

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31.4nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

325 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅