ON Semiconductor MMDJ3N03BJT
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MMDJ3N03BJT
1807-MMDJ3N03BJT
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin
1最小包装量--
MMDJ3N03BJT详情
ON Semiconductor MMDJ3N03BJT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
MINIATURE, PLASTIC, CASE 751-07, SOIC-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 751-07
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
72 MHz
Manufacturer Part Number
MMDJ3N03BJT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.5
Part Package Code
SOIC
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
1.25 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
30 V
MMDJ3N03BJT拓展信息







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