MMPQ2222
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ON Semiconductor MMPQ2222

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型号

MMPQ2222

utmel 编号

1807-MMPQ2222

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose

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MMPQ2222
MMPQ2222 ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose

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MMPQ2222详情

ON Semiconductor MMPQ2222重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    16

  • 质量

    143mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6V

  • Number of Elements

    4

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    16

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 最大功率耗散

    1W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    500mA

  • 频率

    300MHz

  • 基本部件号

    MMPQ2222

  • 引脚数量

    16

  • 极性

    NPN

  • 功率耗散

    1W

  • 增益带宽积

    300MHz

  • 晶体管类型

    4 NPN (Quad)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    30V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA 1V

  • 最大集极截止电流

    50nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.6V @ 50mA, 500mA

  • 转换频率

    350MHz

  • 最大击穿电压

    30V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor MMPQ2222.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & MMPQ2222相似的参数规格。

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MMPQ2222拓展信息

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BC856BDW1T1G
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BC847BPDW1T1G
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BC846BDW1T1G
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MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

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MMPQ2907A
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NST3946DXV6T1G
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BC857CDW1T1G
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