ON Semiconductor MMPQ2222AR1

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

16

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

4

hFEMin

35

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MMPQ2222A

引脚数量

16

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

350MHz

晶体管类型

4 NPN (Quad)

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

350MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅