ON Semiconductor MMSF3P02HDR2G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

27 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

75MOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

97 ns

连续放电电流(ID)

5.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

567 mJ

栅源电压

1.5 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅