登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

MN41V4265DTT-06

MN41V4265DTT-06

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF列表

PDF文档列表

免费送样

ON Semiconductor MN41V4265DTT-06

收藏
对比

型号

MN41V4265DTT-06

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MN41V4265DTT-06

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MN41V4265DTT-06 datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

MN41V4265DTT-06

MN41V4265DTT-06 ON Semiconductor

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

*

验证码

MN41V4265DTT-06详情

技术参数

ON Semiconductor MN41V4265DTT-06重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

40
Package Description

TSOP, TSOP40/44,.46,32
Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code

256000
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code

TSOP40/44,.46,32
Access Time-Max

60 ns
Operating Temperature-Max

70 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

MN41V4265DTT-06
Number of Words

262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V
Package Code

TSOP
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

松下电子元器件
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

PANASONIC CORP
Risk Rank

5.87
JESD-609代码

e0
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别

DRAMs
技术

CMOS
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
端子间距

0.8 mm
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G40
资历状况

不合格
电源

3.3 V
温度等级

COMMERCIAL
电源电流-最大值

0.1 mA
组织结构

256KX16
输出特性

3-STATE
内存宽度

16
待机电流-最大值

0.001 A
记忆密度

4194304 bit
I/O类型

COMMON
内存IC类型

EDO DRAM
刷新周期

512
自我刷新

NO

0个相似型号

MN41V4265DTT-06拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z