ON Semiconductor MSD602-RT1

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFEMin

120

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

MSD60

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318D-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MSD602-RT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.23

Part Package Code

SC-59

包装

卷带

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

500 mA

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

50 V

无铅

含铅