ON Semiconductor MTB10N40E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

CASE 418B-02, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Drain Current-Max (ID)

10 A

Risk Rank

5.35

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

MTB10N40E

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Package Code

CASE 418B-02

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.55 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

520 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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