ON Semiconductor MTB30N06VL

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

30 A

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Manufacturer Part Number

MTB30N06VL

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

Transferred

Risk Rank

8.66

Rohs Code

无

Turn-off Time-Max (toff)

330 ns

Turn-on Time-Max (ton)

550 ns

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

154 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

90 W

反馈上限-最大值 (Crss)

190 pF

环境耗散-最大值

90 W