ON Semiconductor MTB30P06V

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

CASE 418B-04, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTB30P06V

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.17

Drain Current-Max (ID)

30 A

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR