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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.321391
10
¥4.076779
100
¥3.846019
500
¥3.628321
1000
¥3.422948
ON Semiconductor MTB52N06VL
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- 对比
MTB52N06VL
1807-MTB52N06VL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
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52 A 60 V 0.025 Ohm N-channel Si Power Mosfet
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MTB52N06VL详情
ON Semiconductor MTB52N06VL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
第一种连接器安装类型
Free Hanging (In-Line)
第二个连接器安装类型
Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender
Male
Package
Bulk
Overall Impedance
75 Ohms
Base Product Number
095-850
厂商
Amphenol RF
1st Connector Mounting Feature
-
Product Status
活跃
2nd Contact Gender
Male
Frequency-Max
3 GHz
2nd Connector Mounting Feature
-
Cable Types
Belden 1505A
RoHS
Non-Compliant
Package Description
D2PAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTB52N06VL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
52 A
操作温度
-
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
颜色
Black
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
-
样式
HD-BNC to HD-BNC
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
第一个连接器
HD-BNC Plug
第二个连接器
HD-BNC Plug
漏极-源极导通最大电阻
0.025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
182 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
406 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Shielded
长度
18.00 (457.20mm)
MTB52N06VL拓展信息
ON Semiconductor
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