MTB52N06VL
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ON Semiconductor MTB52N06VL

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型号

MTB52N06VL

utmel 编号

1807-MTB52N06VL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

52 A 60 V 0.025 Ohm N-channel Si Power Mosfet

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MTB52N06VL
MTB52N06VL ON Semiconductor 52 A 60 V 0.025 Ohm N-channel Si Power Mosfet

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MTB52N06VL详情

ON Semiconductor MTB52N06VL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 第一种连接器安装类型

    Free Hanging (In-Line)

  • 第二个连接器安装类型

    Free Hanging (In-Line)

  • 1st Contact Gender

    Male

  • Package

    Bulk

  • Overall Impedance

    75 Ohms

  • Base Product Number

    095-850

  • 厂商

    Amphenol RF

  • 1st Connector Mounting Feature

    -

  • Product Status

    活跃

  • 2nd Contact Gender

    Male

  • Frequency-Max

    3 GHz

  • 2nd Connector Mounting Feature

    -

  • Cable Types

    Belden 1505A

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    D2PAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MTB52N06VL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.21

  • Drain Current-Max (ID)

    52 A

  • 操作温度

    -

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 颜色

    Black

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 入口保护

    -

  • 样式

    HD-BNC to HD-BNC

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 第一个连接器

    HD-BNC Plug

  • 第二个连接器

    HD-BNC Plug

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.025 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    182 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    406 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    Shielded

  • 长度

    18.00 (457.20mm)

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技术文档: ON Semiconductor MTB52N06VL.

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