ON Semiconductor MTD4N20

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

6-UTDFN (1.6x1.6)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTD4N20

Turn-on Time-Max (ton)

200 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Turn-off Time-Max (toff)

150 ns

Risk Rank

8.7

Drain Current-Max (ID)

4 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

基本部件号

ISL9003A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

最大电流源

57µA

资历状况

不合格

电压 - 输入（最大值）

6.5V

输出类型

固定式

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输出配置

Positive

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

150mA

箱体转运

DRAIN

控制功能

启用

电压 - 输出（最小值/固定）

1.5V

稳压器数

1

保护特性

Over Current, Over Temperature, Soft Start, Under Voltage Lockout (UVLO)

静态电流（Iq）

40µA

电压降（最大值）

--

晶体管应用

SWITCHING

电源抑制比

--

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

电压 - 输出（最大值）

--

漏极-源极导通最大电阻

0.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

环境耗散-最大值

20 W