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10
￥2.37137
100
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￥2.11051
1000
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ON SEMICONDUCTOR MTD4N20E1
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MTD4N20E1
1807-MTD4N20E1
无类别的
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MTD4N20E1详情
ON SEMICONDUCTOR MTD4N20E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
1.2Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
DS 击穿电压-最小值
200V
雪崩能量等级（Eas）
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MTD4N20E1拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。