ON SEMICONDUCTOR MTD4N20E1

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

1.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

Non-RoHS Compliant