MTD5P06VT4GV
MTD5P06VT4GV

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor MTD5P06VT4GV

  • 收藏
  • 对比

型号

MTD5P06VT4GV

utmel 编号

1807-MTD5P06VT4GV

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 60V 5A DPAK

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
MTD5P06VT4GV
MTD5P06VT4GV ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5A DPAK

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MTD5P06VT4GV详情

ON Semiconductor MTD5P06VT4GV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.1W Ta 40W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    40W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    450m Ω @ 2.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    510pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±15V

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 漏源击穿电压

    60V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

MTD5P06VT4GV拓展信息

BSS138LT1G
BSS138LT1G

ON Semiconductor

BSS138L
BSS138L

ON Semiconductor

NVR5198NLT1G
NVR5198NLT1G

ON Semiconductor

NDS0605
NDS0605

ON Semiconductor

BSS123LT1G
BSS123LT1G

ON Semiconductor

FDB33N25TM
FDB33N25TM

ON Semiconductor

BSS84LT1G
BSS84LT1G

ON Semiconductor

FDS4465
FDS4465

ON Semiconductor

FDS6681Z
FDS6681Z

ON Semiconductor

NDS355AN
NDS355AN

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z