ON Semiconductor MTD6N20ET4G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.75W Ta 50W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

460MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

200V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

700m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

480pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

上升时间

29ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

54 mJ

栅源电压

3 V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅