ON Semiconductor MTP23P06VG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

41 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-23A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 11.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1620pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

98.3ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

62 ns

连续放电电流(ID)

23A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

794 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅