ON Semiconductor MTP2P50EG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

6Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

-500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1183pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

2A

阈值电压

-3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

栅源电压

3 V

高度

9.28mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅