ON Semiconductor MTP3055VL

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

48W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

180mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 6A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 5V

上升时间

190ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42A

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

15 V

高度

20.4mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅