ON Semiconductor MTP33N10E

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CASE 221A-09, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 221A-09

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP33N10E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.3

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

33 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-5.2 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

33 A

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

99 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

545 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W