ON Semiconductor MTP3N12

表面安装

NO

引脚数

56

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP3N12

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

5.29

Drain Current-Max (ID)

3 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

可提供引线框架选项

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

DS 击穿电压-最小值

120 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

环境耗散-最大值

50 W

宽度

7.5 mm

长度

18.4 mm

器件厚度

2.3 mm

无铅

含铅