MUN5211T1
MUN5211T1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥0.996557

  • 10

    ¥0.940145

  • 100

    ¥0.886932

  • 500

    ¥0.83673

  • 1000

    ¥0.789366

ON Semiconductor MUN5211T1

  • 收藏
  • 对比

型号

MUN5211T1

utmel 编号

1807-MUN5211T1

商品类别

集成电路(IC)

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
MUN5211T1
MUN5211T1 ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

单价: $

合计:

库存:122556

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

MUN5211T1详情

ON Semiconductor MUN5211T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 供应商器件包装

    SC-70-3 (SOT323)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    MUN5211T1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Part Package Code

    SC-70

  • Package Description

    CASE 419-04, SC-70, 3 PIN

  • Manufacturer Package Code

    CASE 419-04

  • Risk Rank

    5.28

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • Base Product Number

    MUN52

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    310 mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    35 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 300µA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    35

  • 电阻基(R1)

    10 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 kOhms

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MUN5211T1.

MUN5211T1拓展信息

21315
21315

ON Semiconductor

2SD1816L-R-TN3-R
2SD1816L-R-TN3-R

ON Semiconductor

2N60L-B-TN3-R
2N60L-B-TN3-R

ON Semiconductor

2SA733L-P-AL3-R
2SA733L-P-AL3-R

ON Semiconductor

2N6517CTA_NL
2N6517CTA_NL

ON Semiconductor

2N3906BU_NL
2N3906BU_NL

ON Semiconductor

2N7002MTF_NL
2N7002MTF_NL

ON Semiconductor

2NM60G-TM3-T
2NM60G-TM3-T

ON Semiconductor

2N4403-TAP
2N4403-TAP

ON Semiconductor

2N60L-TF3-T
2N60L-TF3-T

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z