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价格梯度

内地含税价

1

￥0.398488
10

￥0.375933
100

￥0.354653
500

￥0.334578
1000

￥0.315641

ON Semiconductor MUN5336DW1T1G

Name: MUN5336DW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-MUN5336DW1T1G
Price: 0.4 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MUN5336DW1T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MUN5336DW1T1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPLEMENTARY DIGITAL TRA

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MUN5336DW1T1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPLEMENTARY DIGITAL TRA

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ON Semiconductor MUN5336DW1T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

250mW
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
功率 - 最大

250mW
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)

100k Ω
电阻-发射极基极(R2)

100k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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MUN5336DW1T1G拓展信息

热销零件