ON Semiconductor MURA215T3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AC, SMA

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage Rating (DC)

150 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

MURA215

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MURA215T3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.76

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

GENERAL PURPOSE

附加功能

自由旋转二极管

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

2 A

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

COMMERCIAL

极性

Standard

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 150 V

输出电流

2 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

950 mV @ 2 A

正向电流

2 A

最大浪涌电流

40 A

输出电流-最大值

2 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

150 V

平均整流电流（Io）

2A

相位的数量

1

反向恢复时间

35 ns

峰值反向电流

2 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

150 V

Rep Pk反向电压-最大值

150 V

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

40 A

最大非代表Pk前进电流

40 A

反向电压

150 V

恢复时间

35 ns

反向恢复时间-最大值

0.035 µs

反向恢复时间(trr)

35 ns

辐射硬化

无

无铅

含铅