ON Semiconductor MV2109G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

30V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH Q, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

29.7pF

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

16A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

资历状况

不合格

二极管类型

Single

电容@Vr, F

36.3pF @ 4V 1MHz

反向电压

30V

频带

高频转超高频

二极管电容-标称

33pF

电容比

3.2

电容比环境

C2/C30

二极管容差

10%

最小品质因数

200

Q@Vr，F

200 @ 4V, 50MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅