ON Semiconductor N01L63W3AT25I

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

44

Memory Types

Volatile

已出版

2008

包装

Tray

操作温度

-40°C~85°C TA

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

ECCN 代码

EAR99

电压 - 供电

2.3V~3.6V

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

基本部件号

N01L63W3A

引脚数量

44

资历状况

不合格

工作电源电压

3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

内存大小

1Mb 64K x 16

端口的数量

1

电源电流

14mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

16b

密度

1 Mb

最高频率

14MHz

访问时间（最大）

70 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅