ON Semiconductor N02L63W3AT25I

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

端子表面处理

哑光锡

电压 - 供电

2.3V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

N02L63W3A

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

工作电源电压

3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

内存大小

2Mb 128K x 16

端口的数量

1

电源电流

16mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

17b

密度

2 Mb

访问时间（最大）

70 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅