N08L6182AB7IT
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ON Semiconductor N08L6182AB7IT

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型号

N08L6182AB7IT

utmel 编号

1807-N08L6182AB7IT

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48

起订量

1最小包装量--

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N08L6182AB7IT ON Semiconductor Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48

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N08L6182AB7IT详情

ON Semiconductor N08L6182AB7IT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    SMD

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    48

  • MSL

    n/a

  • RoHS

  • Package Description

    8 X 10 MM, BGA-48

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA48,6X8,30

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    85 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    N08L6182AB7IT

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.88

  • Part Package Code

    BGA

  • 操作温度

    -40...+150°C

  • 系列

    LTC

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.75 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    200kHz

  • 引脚数量

    48

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B48

  • 资历状况

    不合格

  • 输出电压

    -

  • 输出类型

    可调式

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.2 V

  • 电源

    1.8/2 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.65 V

  • 注意

    -

  • 最大电源电压

    2.2 V

  • 最小电源电压

    1.65 V

  • 内存大小

    1 MB

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.014 mA

  • 访问时间

    85 ns

  • 组织结构

    512KX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.00001 A

  • 记忆密度

    8388608 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.2 V

  • 输入电压

    -

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    10 mm

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor N08L6182AB7IT.

N08L6182AB7IT拓展信息

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