ON Semiconductor N08L6182AB7IT
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N08L6182AB7IT
1807-N08L6182AB7IT
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Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48
1最小包装量--
N08L6182AB7IT详情
ON Semiconductor N08L6182AB7IT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
SMD
表面安装
YES
终端数量
48
MSL
n/a
RoHS
有
Package Description
8 X 10 MM, BGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
85 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
N08L6182AB7IT
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.88
Part Package Code
BGA
操作温度
-40...+150°C
系列
LTC
ECCN 代码
3A991.B.2.A
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
not_compliant
频率
200kHz
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
输出电压
-
输出类型
可调式
电源电压-最大值(Vsup)
2.2 V
电源
1.8/2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
注意
-
最大电源电压
2.2 V
最小电源电压
1.65 V
内存大小
1 MB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.014 mA
访问时间
85 ns
组织结构
512KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.2 V
输入电压
-
宽度
8 mm
长度
10 mm
无铅
含铅
N08L6182AB7IT拓展信息
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ON Semiconductor
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